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Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 Canale P 360 mW TO-236-3
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-236-3
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
2 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
10
-
0,25 €
30
12% = 0,03 €
0,22 €
50
16% = 0,04 €
0,21 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 10
Totale (0,25 € / Pezzo)
2,50 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
BSS83P
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-236-3
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale P
- I(d)
330 mA
- UBR DSS
60 V
- Potenza (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
2 Ω
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
330 mA
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
80 µA
- Q(G)
3.57 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
78 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
SIPMOS®
- Temperatura di esercizio (max.)
+150 °C
- Caratteristiche Transistor
Logic Level Gate
- U(DSS)
60 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale P
- Tipo
BSS83P
- Case
SOT-23
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 Canale P 360 mW TO-236-3
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 Canale P 360 mW TO-236-3