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Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 Canale N 82 W TO-263-3
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-263-3
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
3
-
0,57 €
9
9% = 0,05 €
0,52 €
15
11% = 0,06 €
0,51 €
30
12% = 0,07 €
0,50 €
60
16% = 0,09 €
0,48 €
120
18% = 0,10 €
0,47 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 3
Totale (0,57 € / Pezzo)
1,71 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF630N
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-263-3
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
9.3 A
- UBR DSS
200 V
- Potenza (max) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
5.4 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
575 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
200 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRF630N
- Descrizione
200 V/9,3 A
- Case
TO-220
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 Canale N 82 W TO-263-3
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 Canale N 82 W TO-263-3
Descrizione
Un transistor MOSFET è un componente comandato dalla tensione e può essere collegato direttamente a fonti con valore ohmico elevato. Si presta pertanto all'impiego come interruttore o amplificatore analogico. Nota: produttore SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.