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Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 Canale N 2.0 W SO-8
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
5
-
0,91335 €
15
8% = 0,07 €
0,83983 €
25
11% = 0,10 €
0,81042 €
50
13% = 0,12 €
0,79087 €
100
16% = 0,14 €
0,76877 €
200
19% = 0,17 €
0,74429 €
500
21% = 0,20 €
0,71734 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 5
Totale (0,91335 € / Pezzo)
4,57 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF7103PBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SO-8
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale N
- Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 Canale N 2.0 W SO-8
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 Canale N 2.0 W SO-8