Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 200 W D2PAK
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
D2PAK
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.04 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
10
-
1,88 €
30
7% = 0,14 €
1,74 €
50
11% = 0,20 €
1,68 €
100
13% = 0,24 €
1,64 €
200
15% = 0,28 €
1,60 €
400
17% = 0,32 €
1,56 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 10
Multipli: 10
Totale (1,88 € / Pezzo)
18,80 €
IVA escl.
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRL2910SPBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
D2PAK
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
55 A
- UBR DSS
100 V
- Potenza (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.04 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 200 W D2PAK
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 200 W D2PAK