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Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220AB
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
1
-
4,50 €
5
7% = 0,30 €
4,20 €
10
9% = 0,41 €
4,09 €
25
11% = 0,49 €
4,01 €
50
13% = 0,58 €
3,92 €
100
15% = 0,68 €
3,82 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Totale (4,50 € / Pezzo)
4,50 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
Transistore unipolare (MOSFET)
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRLB4030PBF
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-220AB
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
180 A
- UBR DSS
100 V
- Potenza (max) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.3 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
110 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
4.5 V
- C(ISS)
11360 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
50 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Logic Level Gate
- U(DSS)
100 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRLB4030PBF
- Case
TO-220AB
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB