ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti 2N6491G TO-220 PNP Tubo
Tipo di imballaggio
Tubo
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
TO-220
Caratteristiche
PNP
Collettore di corrente I(C)
15 A
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Numero
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Highlights & Dettagli
Transistor (BJT) - discreti
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Dati tecnici
- Tipo di imballaggio
Tubo
- Tipo
2N6491G
- Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
- Case
TO-220
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Caratteristiche
PNP
- Collettore di corrente I(C)
15 A
- Tensione emissione collettore U(CEO)
80 V
- Potenza (max) P(TOT)
75 W
- Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento
20 µA
- Frequenza di transizione f(T)
0.005 GHz
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Contenuto
1 pz.
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti 2N6491G TO-220 PNP Tubo
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti 2N6491G TO-220 PNP Tubo
Descrizione
2N6491G Transistor
Type Designator: 2N6491
Material of Transistor: Si
Polarity: PNP
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Type Designator: 2N6491
Material of Transistor: Si
Polarity: PNP
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