ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape
Tipo di imballaggio
Tape
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
TO-92
Caratteristiche
NPN
Collettore di corrente I(C)
1.2 A
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Highlights & Dettagli
Transistor (BJT) - discreti
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Dati tecnici
- Tipo di imballaggio
Tape
- Tipo
bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN
- Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
- Case
TO-92
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Caratteristiche
NPN
- Collettore di corrente I(C)
1.2 A
- Tensione emissione collettore U(CEO)
30 V
- Potenza (max) P(TOT)
0.625 W
- Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento
30 µA
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Contenuto
1 pz.
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3027529 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3027529 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape
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