Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canale N, Canale P 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOIC-8
Caratteristiche
Canale N
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
1.78 W
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
50
-
0,79634 €
150
8% = 0,06 €
0,73223 €
250
11% = 0,09 €
0,70659 €
500
13% = 0,11 €
0,68955 €
1000
16% = 0,13 €
0,67028 €
2000
19% = 0,15 €
0,64893 €
5000
21% = 0,17 €
0,62544 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 50
Multipli: 50
Tape on Full reel
Pezzo(i) (contenuto: )
Pezzo(i) (contenuto: )
Totale (0,79634 € / Pezzo)
39,82 €
IVA escl.
Highlights & Dettagli
MOSFET di potenza SMD Vishay SI_Y-GE3, ECC.
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
- Tipo
SI4532CDY-T1-GE3
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SOIC-8
- Fabbricante
Vishay
- Caratteristiche
Canale N
Canale P
- I(d)
6 A
- UBR DSS
30 V
- Potenza (max) P(TOT)
1.78 W
- R(DS)(on)
0.14 Ω
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Temperatura di esercizio (max.)
150 °C
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- Altezza
0.00 mm
- Lunghezza
0 mm
- Larghezza
0.00 mm
- Peso
0
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canale N, Canale P 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canale N, Canale P 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel