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Diotec Transistor (BJT) - discreti BC847BP DFN1006-3 NPN
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
DFN1006-3
Caratteristiche
NPN
Collettore di corrente I(C)
100 mA
Tensione emissione collettore U(CEO)
45 V
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Numero
Quantità minima ordinabile: 750
Totale (0,04 € / Pezzo)
0,04 €
IVA incl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
BJT, DFN1006-3, 45V, 100MA, NPN
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo: SMDAlloggiamento: DFN1006-3Tensione collettore emettitore - VCEO: 45 V.Corrente del collettore DC - IC: 100 mAPolarità - polo: NPNStrato di sbarramento temperatura - Tjmax: 150 °CDissipazione di potenza - PTOT: 0,150 WRapporto di corrente di base collettore - hfe: 325VCE: 5 VIC: 2 mACollettore tensione di saturazione - VCEsat: 600 mVIC: 100 mAIB: 5 mAFrequenza di transito - ft: 300 MHzIC: 10 mAVCE: 5 VF: 1 MHz
- Tipo
BC847BP
- Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
- Case
DFN1006-3
- Fabbricante
Diotec
- Caratteristiche
NPN
- Collettore di corrente I(C)
100 mA
- Tensione emissione collettore U(CEO)
45 V
- Saturazione VCE (max.)
600 mV
- Potenza (max) P(TOT)
0.15 W
- Guadagno di corrente DC (hFE)
325
- Frequenza di transizione f(T)
1 MHz
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Compatibile RoHS
Sì
- Contenuto
1 pz.
- Temperatura di esercizio (max.)
150 °C
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 2809228 Diotec Transistor (BJT) - discreti BC847BP DFN1006-3 NPN
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 2809228 Diotec Transistor (BJT) - discreti BC847BP DFN1006-3 NPN
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