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ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD13816STU TO-126-3 Numero canali 1 PNP
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
TO-126-3
Caratteristiche
PNP
Collettore di corrente I(C)
-1.5 A
Tensione emissione collettore U(CEO)
-60 V
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
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0,24 €
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Highlights & Dettagli
Transistor (BJT) - discreti
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
BD13816STU
- Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
- Case
TO-126-3
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Cod. Prod.
OnS
- Canali
1
- Caratteristiche
PNP
- Collettore di corrente I(C)
-1.5 A
- Tensione emissione collettore U(CEO)
-60 V
- Saturazione VCE (max.)
-500 mV
- Corrente di dispersione di collettore I(CES)
-100 nA
- Potenza (max) P(TOT)
1.25 W
- Guadagno di corrente DC (hFE)
100
- Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento
-150 mA
- Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento
-2 V
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Contenuto
1 pz.
- Modello
PNP
- Tipo
BD138-16
- Case
TO-126
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 151127 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD13816STU TO-126-3 Numero canali 1 PNP
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 151127 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD13816STU TO-126-3 Numero canali 1 PNP
Descrizione
Note
Costruttore SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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