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ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD14010STU TO-126-3 Numero canali 1 PNP

Immagine simile
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
TO-126-3
Caratteristiche
PNP
Collettore di corrente I(C)
-1.5 A
Tensione emissione collettore U(CEO)
-80 V
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Articolo n°:
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Highlights & Dettagli

Transistor (BJT) - discreti

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Dati tecnici

Tipo

BD14010STU

Tipo prodotto

Transistor (BJT) - discreti

Case

TO-126-3

Fabbricante

ON Semiconductor

Cod. Prod.

OnS

Canali

1

Caratteristiche

PNP

Collettore di corrente I(C)

-1.5 A

Tensione emissione collettore U(CEO)

-80 V

Saturazione VCE (max.)

-500 mV

Corrente di dispersione di collettore I(CES)

-100 nA

Potenza (max) P(TOT)

1.25 W

Guadagno di corrente DC (hFE)

63

Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento

-150 mA

Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento

-2 V

Metodo di montaggio

Foro passante

Contenuto

1 pz.

Tipo

BD14010STU

Case

TO-126

Documenti & Download

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 1263039 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD14010STU TO-126-3 Numero canali 1 PNP

Accessori

(*Tutti i prezzi escludono l'IVA.)

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