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ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD810G TO-220AB Numero canali 1 PNP

Immagine simile
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
TO-220AB
Caratteristiche
PNP
Collettore di corrente I(C)
-10 A
Tensione emissione collettore U(CEO)
-80 V
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Consegna entro Mer 28 Ott

182 Pezzo(i)
Vendita e spedizione:
Conrad ElectronicTermini e condizioni

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1,06 €
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22% = 46,00 €
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Numero
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Highlights & Dettagli

Transistor (BJT) - discreti

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Dati tecnici

Tipo

BD810G

Tipo prodotto

Transistor (BJT) - discreti

Case

TO-220AB

Fabbricante

ON Semiconductor

Cod. Prod.

OnS

Canali

1

Caratteristiche

PNP

Collettore di corrente I(C)

-10 A

Tensione emissione collettore U(CEO)

-80 V

Saturazione VCE (max.)

-1.1 V

Corrente di dispersione di collettore I(CES)

-1 mA

Potenza (max) P(TOT)

90 W

Guadagno di corrente DC (hFE)

15

Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento

-4 A

Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento

-2 V

Frequenza di transizione f(T)

1.5 MHz

Metodo di montaggio

Foro passante

Contenuto

1 pz.

Modello

PNP

Tipo

BD810

Case

TO-220AB

Documenti & Download

Scheda tecnica

Scheda tecnica 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD810G TO-220AB Numero canali 1 PNP

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD810G TO-220AB Numero canali 1 PNP

Spesso comprati insieme

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Prezzo totale:

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