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ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJE13007G TO-220AB Numero canali 1 NPN
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
TO-220AB
Caratteristiche
NPN
Collettore di corrente I(C)
8 A
Tensione emissione collettore U(CEO)
400 V
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Numero
Totale (2,49 € / Pezzo)
2,49 €
IVA incl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
Transistor (BJT) - discreti
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
MJE13007G
- Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
- Case
TO-220AB
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Cod. Prod.
OnS
- Canali
1
- Caratteristiche
NPN
- Collettore di corrente I(C)
8 A
- Tensione emissione collettore U(CEO)
400 V
- Saturazione VCE (max.)
3 V
- Corrente di dispersione di collettore I(CES)
100 µA
- Potenza (max) P(TOT)
80 W
- Serie
SWITCHMODE™
- Guadagno di corrente DC (hFE)
5
- Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento
5 A
- Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento
5 V
- Frequenza di transizione f(T)
14 MHz
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Contenuto
1 pz.
- Modello
NPN
- Tipo
MJE13007
- Case
TO-220AB
Documenti & Download
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 151208 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJE13007G TO-220AB Numero canali 1 NPN
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