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ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJE3055TG TO-220AB Numero canali 1 NPN
Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
Case
TO-220AB
Caratteristiche
NPN
Collettore di corrente I(C)
10 A
Tensione emissione collettore U(CEO)
60 V
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Totale (0,98 € / Pezzo)
0,98 €
IVA incl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
Transistore commutatore di potenza
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
MJE3055TG
- Tipo prodotto
Transistor (BJT) - discreti
- Case
TO-220AB
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Cod. Prod.
OnS
- Canali
1
- Caratteristiche
NPN
- Collettore di corrente I(C)
10 A
- Tensione emissione collettore U(CEO)
60 V
- Saturazione VCE (max.)
8 V
- Corrente di dispersione di collettore I(CES)
700 µA
- Potenza (max) P(TOT)
75 W
- Guadagno di corrente DC (hFE)
20
- Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento
4 A
- Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento
4 V
- Frequenza di transizione f(T)
2 MHz
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Contenuto
1 pz.
- Modello
NPN
- Tipo
MJE3055T
- Case
TO-220AB
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 150945 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJE3055TG TO-220AB Numero canali 1 NPN
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 150945 ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJE3055TG TO-220AB Numero canali 1 NPN
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