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Transcend MTE662T 2 TB SSD interno NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS2TMTE662T

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Highlights & Dettagli

Unità SSD M.2 Transcend MTE662T PCIe

  • 2 TB
  • Con cache DRAM
  • Durata: Cicli P/E 3K (cicli di programmazione/cancellazione) garantiti
  • Progettato per l'uso in campo di temperatura industriale (-40℃ fino a 85℃)
  • Interfaccia PCIe Gen 3 x4
  • Controller a 8 canali (8CH) per prestazioni eccezionali
  • I componenti principali sono rinforzati di serie con la tecnologia Corner bond
  • Soddisfa le specifiche PCI Express 3.1
  • Soddisfa le specifiche NVM Express 1.3
  • Supporta NVM Command
  • Tecnologia di caching SLC
  • Funzionalità LDPC ECC (Error Correction Code) integrata
  • Riduzione termica dinamica
  • Soddisfa gli standard RoHS 2.0
  • Supporta il software Transcend SSD Scope Pro

Dati tecnici

Tipo prodotto

SSD interno NVMe/PCIe M.2

Serie

MTE662T

Fattore di forma

Modulo M.2 2280

Interfacce

PCIe NVMe 3.0 x4

Capacità di memoria

2 TB

Lettura

3500 MB/s

Scrittura

2700 MB/s

Velocità lettura max. IOPS

340000 IOPS

Velocità scrittura max. IOPS

355000 IOPS

Larghezza

22 mm

Altezza

3.58 mm

Profondità

80 mm

Versione

Industrial

UKCA

Sì

Conformità e certificazioni

Certified by EU Garan

Documenti & Download

Scheda tecnica

Scheda tecnica 2302587 Transcend MTE662T 2 TB SSD interno NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS2TMTE662T

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 2302587 Transcend MTE662T 2 TB SSD interno NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS2TMTE662T

Condizioni di garanzia

Condizioni di garanzia 2302587 Transcend MTE662T 2 TB SSD interno NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS2TMTE662T

Descrizione

L'unità SSD M.2 MTE662T di Transcend è dotata di un'interfaccia PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 ed è compatibile con le specifiche NVM Express (NVMe) 1.3 per raggiungere velocità di trasmissione convincenti. MTE662T è dotato della più recente tecnologia NAND 3D, che consente di impilare 96 strati di chip flash NAND 3D in verticale. Rispetto a 3D NAND su 64 strati, questo aumento di densità migliora notevolmente l'efficienza della memoria. MTE662T è dotato di una cache DRAM per un accesso rapido ed è completamente testato in casa per garantire l'affidabilità in applicazioni critiche. Ha una capacità di carico di 3K cicli di programmazione/cancellazione.

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