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Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canale N 1.3 W DIP-4
Tipo prodotto
MOSFET
Case
DIP-4
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
540 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Totale (0,58 € / Pezzo)
0,64 €
-9 %
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Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRFD110PBF
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
DIP-4
- Fabbricante
Vishay
- Cod. Prod.
VIS
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
1 A
- UBR DSS
100 V
- Potenza (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
540 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
600 mA
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
8.3 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
180 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRFD110PBF
- Descrizione
100 V/1 A
- Case
DIP-4
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canale N 1.3 W DIP-4
Scheda tecnica 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canale N 1.3 W DIP-4
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canale N 1.3 W DIP-4
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