- Tipo di articolo
- MOSFET920IGBT2Kit MOSFET/IGBT1Transistor JFET1
- VenditoreConrad Electronic SE
- Prezzo
- Marchio
- Infineon Technologies348Vishay135Diotec129Taiwan Semiconductor94STMicroelectronics75Littelfuse69ON Semiconductor55DIODES Incorporated12IXYS3MCC3ifm Electronic1Kemo1
- Potenza (max) P(TOT)
- 0.2 W5225 mW20.25 W40.275 W10.31 W10.35 W8350 mW7360 mW70.36 W6400 mW20.4 W10.41 W10.5 W4500 mW10.53 W1540 mW2700 mW1710 mW10.75 W1800 mW1830 mW20.9 W1900 mW10.96 W11 W51.0 W11.1 W11.25 W111.3 W121.4 W51.5 W51.56 W11.6 W21.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W42.1 W52.3 W12.4 W12.5 W202.8 W13 W23.1 W63.75 W13.8 W54 W34.2 W25 W85.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W18 W210.8 W113 W114 W116 W317 W120 W121 W122 W122.7 W224 W125 W2128 W329 W129.7 W230 W231 W532 W134 W335 W435.7 W236 W238 W239 W240 W941 W141.67 W141.7 W142 W1143 W544 W145 W1546 W348 W648.3 W250 W551 W152 W354 W560 W562 W262.5 W263 W166 W368 W869 W270 W471 W374 W675 W578 W179 W580 W382 W283 W585 W186 W188 W290 W691 W192 W194 W295 W298 W199 W3100 W3101 W1107 W1110 W28115 W2120 W4125 W23128 W1130 W9131 W1135 W2140 W16143 W2144 W5150 W18151 W4156 W1160 W10170 W9176 W3178 W1180 W7190 W11192 W1200 W18208 W4214 W1220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W3280 W7290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W2357 W1360 W7370 W8375 W18380 W6390 W4391 W1400 W5425 W1446 W3460 W1470 W1480 W4481 W2517 W1520 W4580 W1595 W2625 W2780 W2800 W1940 W2960 W21040 W11170 W11250 W11500 W1
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
- -10 A9-20 A7-3 A4-4 A4-1 A3-30 A3-15 A1-2 A1-6 A10 A40.1 mA10.0416666666666667 A100.1 A1120 mA10.125 A30.166666666666667 A2170 mA2190 mA1200 mA3220 mA20.291666666666667 A3330 mA10.333333333333333 A2400 mA10.416666666666667 A5500 mA5660 mA1910 mA1930 mA11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A12.2 A22.3 A12.4 A12.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A13.1 A23.3 A13.4 A23.5 A13.6 A23.7 A24 A24.1 A24.2 A14.3 A24.5 A24.8 A35 A15.2 A15.4 A25.5 A35.7 A15.8 A16 A26.3 A16.6 A37.2 A38.4 A58.5 A18.6 A19 A29.2 A19.6 A110 A611 A712 A513 A313.5 A114 A115 A516 A717 A318 A320 A1021 A122 A323 A523.5 A124 A525 A425.5 A126 A128 A430 A931 A132 A133 A235 A338 A240 A741 A142 A144 A245 A246 A347 A149 A150 A652 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A265 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -40 V14-60 V10-30 V8-20 V4-100 V3-50 V2-200 V112 V120 V1224 V125 V330 V3740 V2345 V250 V655 V2860 V7065 V975 V1280 V385 V190 V1100 V54150 V28200 V26250 V7300 V3400 V10500 V26600 V27650 V7800 V3900 V21000 V5
- Case
- Metodo di montaggio
- Caratteristiche
- R(DS)(on)
- U(GS)(th) max.
- Tipo di imballaggio
- C(ISS)
- Certificazioni
- Si prega di selezionare prima una categoria:
- Notizie & Offerte
Mosfet
925 risultatiDettagli | Prezzo | Disponibilità | Case | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Corrente di riferimento | R(DS)(on) | Potenza (max) P(TOT) | Metodo di montaggio | U(DSS) | Caratteristiche | Certificazioni | Tipo di imballaggio | |
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escl. IVA 21 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. | D2PAK | - | - | - | 0.117 Ω | 110 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | - | |||
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Infineon Technologies BSS169 MOSFET 1 Canale N 0.36 W SOT-23Conrad Electronic escl. IVA 104 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 5 | SOT-23 | - | - | - | 12 Ω | 0.36 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
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Infineon Technologies IRLML5203PBF MOSFET 1 Canale P 1.25 W SOT-23Conrad Electronic 0,07593 € escl. IVA 55 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 10 | SOT-23 | - | - | - | 0.165 Ω | 1.25 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | - | |||
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escl. IVA Disponibile a breve Min: 100Multipli: 100 | SOT-23 | - | - | - | - | - | - | 50 V | Canale N | - | Tape on Full reel | |||
Vishay IRFR320PBF MOSFET 1 Canale N 42 W TO-252AA TuboConrad Electronic escl. IVA 5575 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 25Multipli: 25 | TO-252AA | - | - | - | 1.8 Ω | 42 W | montaggio superficiale | 400 V | Canale N | - | Tubo | |||
Vishay IRF9610PBF MOSFET 1 Canale P 20 W TO-220AB TuboConrad Electronic escl. IVA 150 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 25Multipli: 25 | TO-220AB | - | - | - | 3 Ω | 20 W | Foro passante | - | Canale P | - | Tubo | |||
escl. IVA 2600 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.15 Ω | 2.4 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
 Immagine simile Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 Canale N 190 W TO-220ABConrad Electronic escl. IVA 177 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. | TO-220AB | 4 V | 3550 pF | 44 A | 14 mΩ | 190 W | Foro passante | 100 V | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 1850 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 10Multipli: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.00125 Ω | 380 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
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escl. IVA 1450 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.062 Ω | 4.2 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
escl. IVA 960 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 10Multipli: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.0059 Ω | 230 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 9 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 5 | PowerPAK-SO-8 | - | - | - | 0.047 Ω | 83 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
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escl. IVA 1150 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 25Multipli: 25 | PowerPAK-SO-8 | - | - | - | 0.019 Ω | 1.9 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
escl. IVA 2850 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.0165 Ω | 5.7 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
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escl. IVA 4550 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.094 Ω | 2.0 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
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escl. IVA 1600 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 25Multipli: 25 | PowerPAK-SO-8 | - | - | - | 0.0125 Ω | 41.7 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | Tape on Full reel | |||
escl. IVA 16600 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 25Multipli: 25 | PowerPAK-SO-8 | - | - | - | 0.0095 Ω | 48 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
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escl. IVA 25 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 10 | TO-92 | - | - | - | - | - | - | 60 V | Canale N | - | Tape on Full reel | |||
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escl. IVA 2200 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 25Multipli: 25 | SOIC-8 | - | - | - | 0.0105 Ω | 6.6 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
escl. IVA Disponibile a breve Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.14 Ω | 1.78 W | montaggio superficiale | - | Canale N, Canale P | - | Tape on Full reel | |||
escl. IVA Disponibile a breve Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.031 Ω | 1.7 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | Tape on Full reel | |||
STMicroelectronics STB80NF10T4 MOSFET 1 Canale N 300 W D2PAKConrad Electronic escl. IVA 1075 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 5Multipli: 5 | D2PAK | - | - | - | 0.015 Ω | 300 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
Vishay IRFPG50PBF MOSFET 1 Canale N 190 W TO-247AC TuboConrad Electronic escl. IVA 760 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 5Multipli: 5 | TO-247AC | - | - | - | 2 Ω | 190 W | Foro passante | - | Canale N | - | Tubo | |||
escl. IVA Disponibile a breve Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.084 Ω | 6 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | Tape on Full reel | |||
escl. IVA 1200 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.008 Ω | 6 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | Tape on Full reel | |||
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Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 200 W D2PAKConrad Electronic escl. IVA 20 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.023 Ω | 200 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 10 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | SOT-223 | - | - | - | 0.16 Ω | 2.1 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
Infineon Technologies IRFS3206PBF-GURT MOSFET 1 Canale N 300 W D2PAKConrad Electronic escl. IVA 1380 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 10Multipli: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.003 Ω | 300 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
Infineon Technologies IRFS4020PBF-GURT MOSFET 1 Canale N 100 W D2PAKConrad Electronic escl. IVA 170 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 10Multipli: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.105 Ω | 100 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
Vishay IRFR9024PBF MOSFET 1 Canale P 42 W TO-252AA TuboConrad Electronic escl. IVA 17 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.28 Ω | 42 W | montaggio superficiale | -60 V | Canale P | - | Tubo | |||
Vishay IRFBG20PBF MOSFET 1 Canale N 54 W TO-220AB TuboConrad Electronic escl. IVA 275 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 25Multipli: 25 | TO-220AB | - | - | - | 11 Ω | 54 W | Foro passante | - | Canale N | - | Tubo | |||
1,25891 € escl. IVA 5450 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.041 Ω | 2.5 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | Tape on Full reel | |||
escl. IVA 334 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.11 Ω | 45 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 27 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.265 Ω | 48 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 4 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.065 Ω | 68 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 20 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. | TO-252AA | - | - | - | 0.0225 Ω | 110 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 204 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. | TO-220-FULLPAK | - | - | - | 0.38 Ω | 31 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 3000 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | TO-252AA | - | - | - | 0.011 Ω | 91 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
Infineon Technologies IRFS3004PBF-GURT MOSFET 1 Canale N 380 W D2PAKConrad Electronic escl. IVA 270 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 10Multipli: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.00175 Ω | 380 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 6600 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SO-8 | - | - | - | 0.4 Ω | 2.0 W | montaggio superficiale | - | Canale N, Canale P | - | - | |||
escl. IVA 880 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 10Multipli: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.036 Ω | 160 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
Infineon Technologies IRF1404SPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 200 W D2PAKConrad Electronic escl. IVA 1230 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 10Multipli: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.004 Ω | 200 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
 Immagine simile escl. IVA Consegna entro Gio. 3 Dic. Min: 10Multipli: 10 | TO-220-FULLPAK | - | - | - | 0.11 Ω | 41 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
Infineon Technologies IRF8714PBF-GURT MOSFET 1 Canale N 2.5 W SO-8Conrad Electronic escl. IVA 4950 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 50Multipli: 50 | SO-8 | - | - | - | 0.0087 Ω | 2.5 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 65 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 5 | SOT-23 | 20 V | 60 pF | 0.1 A | 30 Ω | 0.36 W | montaggio superficiale | 250 V | Canale N | RoHS | #####Tape and Reel | |||
Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 Canale P 0.36 W SOT-23Conrad Electronic escl. IVA 108700 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 25 Set. Min: 100Multipli: 100 | SOT-23 | - | - | - | 12 Ω | 0.36 W | montaggio superficiale | - | Canale P | - | - | |||
Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 Canale N 1.8 W SOT-223Conrad Electronic escl. IVA 25 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 5 | SOT-223 | - | - | - | 3.5 Ω | 1.8 W | montaggio superficiale | - | Canale N | - | - | |||
-46% 0,70 € 0,38 € escl. IVA 40 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. | TO-252AA | - | - | - | 0.039 Ω | 110 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
 Immagine simile Infineon Technologies IRF9Z34NPBF MOSFET 1 Canale P 68 W TO-220ABConrad Electronic escl. IVA 15 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | TO-220AB | - | - | - | 0.1 Ω | 68 W | Foro passante | - | Canale P | - | - | |||
 Immagine simile Infineon Technologies IRFP054NPBF MOSFET 1 Canale N 170 W TO-247ACConrad Electronic escl. IVA 13 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 5 | TO-247AC | - | - | - | 0.012 Ω | 170 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 24 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.075 Ω | 45 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
escl. IVA 35 Pezzo in magazzino Consegna entro Ven. 18 Set. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.21 Ω | 48 W | Foro passante | - | Canale N | - | - | |||
Consulente
Vale la pena conoscere i MOSFET
Cosa sono i MOSFET?
Interessanti informazioni sui MOSFET
Quali MOSFET sono disponibili da Conrad?
Come si trova il MOSFET adatto?
Cosa si deve osservare quando si usano i MOSFET?
Cosa sono i MOSFET?
Con MOSFET viene chiamato un gruppo di semiconduttori controllabili. La denominazione è un'abbreviazione di "Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistor" e ritorna alla sequenza di strati del connettore di controllo utilizzata inizialmente: Per lungo tempo l'alluminio è stato utilizzato. Questo collegamento è stato poi separato dal semiconduttore effettivo da uno strato di ossido di silicio non conduttivo.
A causa dell'utilizzo di materiali semiconduttori high-tech, la denominazione originale non è più corretta dal punto di vista tecnico, in quanto non viene più utilizzato alluminio. Il MOSFET è stato tuttavia mantenuto come sinonimo del nome del prodotto introdotto. Oggi, come materiale di gate viene utilizzato il polisilicio drogato.
Il MOSFET è un componente attivo con almeno tre collegamenti:
- S per Source (Sorgente)
- D per drain (Uscita)
- G per gate (collegamento di controllo)
Alcuni tipi di costruzione hanno ancora un collegamento B (bulk per substrato), con il quale è possibile realizzare ulteriori caratteristiche di controllo.
Lo stato di uscita (senza tensione sul gate) può essere "conduttore normale" o "normalmente bloccato" (o viceversa). Ciò è dovuto alla "composizione" chimica dei materiali utilizzati come tipo di braccio (= conduttore normale) o come tipo di arricchimento (= bloccaggio normale). Applicando una tensione di controllo sul gate, il MOSFET esce dallo stato originale. In questo modo il MOSFET è in definitiva una resistenza controllabile con tensione. La variante "normalmente bloccante" viene utilizzata nella pratica con maggiore frequenza. Il comportamento elettrico di un MOSFET si ottiene mediante processi nei cristalli partecipanti in cui i portatori di carica in migrazione forniscono in ultima analisi l'effetto desiderato.
Con determinate condizioni ambientali elettriche viene generata una linea caratteristica del comportamento del MOSFET. Questo indica in modo semplice le condizioni in cui la tensione viene "trasmessa" tra la sorgente e la porta. In questo modo vengono generati anche valori capacitivi che influenzano il comportamento di un MOSFET quando viene utilizzato come interruttore. Consentono commutazioni molto rapidi e sono quindi adatti per frequenze elevate, ad esempio in alimentatori switching.
Interessanti informazioni sui MOSFET
Il transistor bipolare Insulated Gate ( IGBT, tradotto "transistore bipolare con elettrodo di gate isolato") è un'evoluzione del MOSFET per l'utilizzo nell'elettronica di potenza. La capacità di potenza di questi componenti è sufficiente per raggiungere un intervallo di diversi kilovolt, l'intervallo di corrente supera alcuni kiloampere. Questi componenti vengono utilizzati come interruttori a semiconduttore di potenza, ad esempio in azionamenti per motori, controlli della forza di trazione, alimentatori a commutazione o in sistemi di alimentazione senza interruzioni (UPS).
Quali MOSFET sono disponibili da Conrad?
Nel nostro negozio online troverete un'ampia gamma di MOSFET selezionabili in base a diversi criteri tecnici:
Nel nostro negozio online troverete un'ampia gamma di MOSFET selezionabili in base a diversi criteri tecnici:
Case o formato
Qui si è stabilita una grande varietà di modelli. Sono disponibili MOSFET con collegamenti a saldare e con alloggiamento SMD. Quasi tutti hanno in comune un collegamento per dissipatori di calore o superfici.
Costruttore
L'acronimo del produttore è un identificativo per il produttore, composto per lo più da tre lettere.
Metodo di montaggio
Sono disponibili varianti con foro passante, montaggio superficiale (SMT) o alloggiamento. Questi ultimi componenti sono dotati di collegamenti a vite per il collegamento elettrico e il montaggio. Si noti che in alcuni casi la lunghezza delle viti di collegamento dipende dalla rispettiva applicazione. Le viti di lunghezza adeguata con anello elastico e rondella devono essere ordinate separatamente.
Temperatura di esercizio massima
I MOSFET della nostra gamma funzionano con un intervallo di temperatura massimo da 125 a 225 gradi Celsius.
P tot
Questo valore definisce la potenza massima che può essere convertita in calore nel MOSFET senza distruggere il semiconduttore - da 0,225 milliwatt a 2.500 watt.
Modello
In questa voce di menu è possibile selezionare tra diverse conduttività. Sono disponibili anche MOSFET che offrono diverse direzioni di conduttività in un unico alloggiamento.
U(DSS)
Tensione drain source: Massima resistenza alla tensione del componente tra drain e source.
R(DS)(on)
Drain-Source ON Resistance: Resistenza del FET acceso.
U(GS)(th) max.
Tensione gate-source Threshold: soglia di tensione, da cui il transistor diventa minimo conduttore.
C(ISS)
Small Signal Input Capacity - la capacità del gateway: L'elettrodo di gate di un MOSFET forma una capacità di ingresso.
Nelle schede tecniche di ogni prodotto sono disponibili informazioni dettagliate dei produttori su tutti i dettagli dei MOSFET.
Come si trova il MOSFET adatto?
Il primo passo nella scelta del componente adatto per un design di commutazione è determinare se utilizzare un MOSFET a canale N o a canale P. Ciò dipende dal compito che il circuito deve svolgere.
Inoltre, è necessario determinare la tensione massima che può verificarsi tra drain e source. Si noti che questo valore varia con la temperatura - considerare l'intero intervallo di temperatura approvato per il funzionamento. La tensione nominale del MOSFET deve avere un intervallo di tolleranza sufficientemente ampio per evitare guasti. Altri aspetti sono le vibrazioni di motori o trasformatori.
Cosa si deve osservare quando si usano i MOSFET?
Osservare le norme generali per la gestione di determinate altezze di tensione per evitare lesioni da scosse elettriche. La manutenzione della tensione di rete deve essere effettuata solo da personale qualificato. Prima di iniziare il lavoro, scollegare l'alimentazione elettrica, incluso il fusibile, che deve evitare di riaccendersi accidentalmente. Nello stato operativo, in particolare in condizioni di sviluppo o di laboratorio, deve essere garantita una protezione contro il contatto accidentale.
Ogni persona può caricarsi elettrostaticamente a più di 1.000 volt con il movimento. Spesso sono sufficienti pochi volt per distruggere i componenti elettrici attivi. Ciò può accadere già in fase di avvicinamento. Si consiglia di prestare attenzione a una messa a terra sicura quando si lavora con strumenti di misurazione ad alta sensibilità o componenti elettrici di tutti i tipi.
La nostra buona pratica
Quando si sostituiscono i MOSFET saldati, tenere i tempi di saldatura brevi per evitare la distruzione termica. Utilizzate la tecnica di saldatura adatta, in particolare gli accessori di saldatura adatti durante la dissaldatura, per evitare la sostituzione dei circuiti stampati.
Mantenere le specifiche di coppia durante l'avvitamento di elementi di raffreddamento.
I MOSFET sono sensibili a persone e oggetti caricati in modo statico. Chiudere gli elettrodi in modo breve e elettricamente conduttivo fino al montaggio: è sufficiente conservare in schiuma conduttiva o sacchetti di schermatura ESD.