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Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canale N 150 W TO-220

Immagine simile
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
150 W
R(DS)(on)
150 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Consegna entro Mer 4 Nov

403 Pezzo(i)
Vendita e spedizione:
Conrad ElectronicTermini e condizioni

Numero
Totale (2,29 € / Pezzo)
2,29 €
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Diritto di reso di 14 giorni incluso

Highlights & Dettagli

MOSFET (HEXFET /FETKY)

Servizi e promozioni supplementari

Dati tecnici

Tipo

IRF640NPBF

Tipo prodotto

MOSFET

Case

TO-220

Fabbricante

Infineon Technologies

Cod. Prod.

INF

Caratteristiche

Canale N

I(d)

18 A

UBR DSS

200 V

Potenza (max) P(TOT)

150 W

R(DS)(on)

150 mΩ

R(DS)(on) Corrente di riferimento

11 A

R(DS)(on) Tensione di riferimento

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Corrente di riferimento max.

250 µA

Q(G)

67 nC

Q(G) Tensione di riferimento

10 V

C(ISS)

1160 pF

C(ISS) Tensione riferimento

25 V

Temperatura d'esercizio (min.)

-55 °C

Metodo di montaggio

Foro passante

Serie

HEXFET®

Temperatura di esercizio (max.)

+175 °C

Caratteristiche Transistor

Standard

U(DSS)

200 V

Canali

1

Contenuto

1 pz.

Modello

Canale N

Tipo

IRF640N

Descrizione

200 V/18 A

Case

TO-220

Documenti & Download

Scheda tecnica

Scheda tecnica 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canale N 150 W TO-220

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canale N 150 W TO-220

Descrizione

Un transistor MOSFET è un componente comandato dalla tensione e può essere collegato direttamente a fonti con valore ohmico elevato. Si presta pertanto all'impiego come interruttore o amplificatore analogico. Nota: produttore SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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