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Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canale N 150 W TO-220
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
150 W
R(DS)(on)
150 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
1
-
1,88 €
10
7% = 0,14 €
1,74 €
25
11% = 0,20 €
1,68 €
50
13% = 0,24 €
1,64 €
100
15% = 0,28 €
1,60 €
250
17% = 0,32 €
1,56 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Totale (1,88 € / Pezzo)
1,88 €
IVA escl.
Highlights & Dettagli
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF640NPBF
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-220
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
18 A
- UBR DSS
200 V
- Potenza (max) P(TOT)
150 W
- R(DS)(on)
150 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
11 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
67 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
1160 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
200 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRF640N
- Descrizione
200 V/18 A
- Case
TO-220
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canale N 150 W TO-220
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canale N 150 W TO-220
Descrizione
Un transistor MOSFET è un componente comandato dalla tensione e può essere collegato direttamente a fonti con valore ohmico elevato. Si presta pertanto all'impiego come interruttore o amplificatore analogico. Nota: produttore SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.