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Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220AB
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
1
-
3,52 €
10
8% = 0,27 €
3,25 €
25
11% = 0,37 €
3,15 €
50
12% = 0,44 €
3,08 €
100
15% = 0,52 €
3,00 €
250
17% = 0,61 €
2,91 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Totale (3,52 € / Pezzo)
3,52 €
IVA escl.
Highlights & Dettagli
Transistore unipolare (MOSFET)
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRFB4110PBF
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-220AB
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
120 A
- UBR DSS
100 V
- Potenza (max) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.5 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
75 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
210 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
9620 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
50 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRFB4110PBF
- Case
TO-220AB
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB