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Componenti Attivi Semiconduttori Transistor a effetto di campo MOSFET

Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 Canale N 82 W TO-220AB

EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Un contenitore TO-220, un involucro standard per componenti elettronici con tre piedini metallici sporgenti per il fissaggio e l'utilizzo.
Immagine simile
Un contenitore TO-220, un involucro standard per componenti elettronici con tre piedini metallici sporgenti per il fissaggio e l'utilizzo.
Immagine simile
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220AB
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
English
Infineon Technologies
Consegna entro Ven. 18 Set.

4 Pezzo(i)
Vendita e spedizione:
Conrad Electronic Termini e condizioni

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Risparmio
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1,22 €
9
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1,12 €
15
11% = 0,14 €
1,08 €
30
13% = 0,16 €
1,06 €
60
16% = 0,20 €
1,02 €
120
19% = 0,23 €
0,99 €
300
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I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €

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IVA escl. 
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Highlights & Dettagli

MOSFET

Servizi e promozioni supplementari

Dati tecnici

Tipo

IRF630NPBF

Tipo prodotto

MOSFET

Case

TO-220AB

Fabbricante

Infineon Technologies

Cod. Prod.

INF

Caratteristiche

Canale N

I(d)

9.3 A

UBR DSS

200 V

Potenza (max) P(TOT)

82 W

R(DS)(on)

300 mΩ

R(DS)(on) Corrente di riferimento

5.4 A

R(DS)(on) Tensione di riferimento

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Corrente di riferimento max.

250 µA

Q(G)

35 nC

Q(G) Tensione di riferimento

10 V

C(ISS)

575 pF

C(ISS) Tensione riferimento

25 V

Temperatura d'esercizio (min.)

-55 °C

Metodo di montaggio

Foro passante

Serie

HEXFET®

Temperatura di esercizio (max.)

+175 °C

Caratteristiche Transistor

Standard

U(DSS)

200 V

Canali

1

Contenuto

1 pz.

Tipo

IRF630NPBF

Case

TO-220AB

Varianti(Tutti i prezzi sono IVA e spese di spedizione escluse)

Case
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Corrente di riferimento
R(DS)(on)
U(DSS)
Potenza (max) P(TOT)
Caratteristiche
C(ISS)
Metodo di montaggio
 
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 Canale N 82 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 Canale N 82 W TO-220AB

563977

 
Questo articolo
TO-220AB
4 V
5.4 A
300 mΩ
200 V
82 W
Canale N
575 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF1010ZPBF MOSFET 1 Canale N 140 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1010ZPBF MOSFET 1 Canale N 140 W TO-220AB

563939

 
TO-220AB
4 V
75 A
7.5 mΩ
55 V
140 W
Canale N
2840 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 Canale N 170 W TO-220AB
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563940

 
TO-220AB
4 V
60 A
9 mΩ
40 V
170 W
Canale N
2900 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 Canale P 110 W TO-220AB
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563967

 
TO-220AB
4 V
16 A
60 mΩ
55 V
110 W
Canale P
1200 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 Canale N 260 W TO-220AB
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TO-220AB
4 V
45 A
15 mΩ
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Canale N
3830 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 Canale N 375 W TO-220AB
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564023

 
TO-220AB
4 V
170 A
2.5 mΩ
60 V
375 W
Canale N
8970 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 Canale N 375 W TO-220AB
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564026

 
TO-220AB
5 V
44 A
20 mΩ
200 V
375 W
Canale N
5380 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 Canale N 341 W TO-220-3
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564027

 
TO-220-3
5 V
24 A
69 mΩ
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341 W
Canale N
5168 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRFB4620PBF MOSFET 1 Canale N 144 W TO-220AB
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TO-220AB
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72.5 mΩ
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144 W
Canale N
1710 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 Canale N 3.8 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 Canale N 3.8 W TO-220AB

564033

 
TO-220AB
5.5 V
45 A
14 mΩ
100 V
3.8 W
Canale N
6160 pF
Foro passante

Documenti & Download

Scheda tecnica

English

Scheda tecnica 563977 Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 Canale N 82 W TO-220AB

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 563977 Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 Canale N 82 W TO-220AB

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