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Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 Canale N 200 W TO-220AB
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220AB
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
1
-
2,45 €
10
7% = 0,18 €
2,27 €
25
10% = 0,25 €
2,20 €
50
12% = 0,30 €
2,15 €
100
15% = 0,36 €
2,09 €
250
17% = 0,42 €
2,03 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Totale (2,45 € / Pezzo)
2,45 €
IVA escl.
Highlights & Dettagli
MOSFET, Canale N
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF3205
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-220AB
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
110 A
- UBR DSS
55 V
- Potenza (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
8 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
62 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
146 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
3247 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
55 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRF3205
- Descrizione
55 V/110 A
- Case
TO-220AB
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 Canale N 200 W TO-220AB
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 Canale N 200 W TO-220AB
Descrizione
Un transistor MOSFET è un componente comandato dalla tensione e può essere collegato direttamente a fonti con valore ohmico elevato. È quindi idoneo per l'impiego come interruttore o amplificatore analogico. Questo transistor è compatibile con µC, TTL e CMOS. Nota: produttore SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.