Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canale P 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOIC-8
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
4.2 W
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EAN:
Codice produttore
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Numero
Quantità minima ordinabile: 50
Multipli: 50
Tape on Full reel
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Highlights & Dettagli
MOSFET di potenza SMD Vishay SI_Y-GE3, ECC.
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
- Tipo
SI4447ADY-T1-GE3
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SOIC-8
- Fabbricante
Vishay
- Caratteristiche
Canale P
- I(d)
-7.2 A
- UBR DSS
-40 V
- Potenza (max) P(TOT)
4.2 W
- R(DS)(on)
0.062 Ω
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Temperatura di esercizio (max.)
150 °C
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Altezza
0.00 mm
- Lunghezza
0 mm
- Larghezza
0.00 mm
- Peso
0
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canale P 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canale P 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
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