Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canale P 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOIC-8
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
4.2 W
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
50
-
0,54470 €
150
8% = 0,04 €
0,50085 €
250
11% = 0,06 €
0,48332 €
500
13% = 0,07 €
0,47166 €
1000
16% = 0,09 €
0,45848 €
2000
19% = 0,10 €
0,44388 €
5000
21% = 0,12 €
0,42781 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 50
Multipli: 50
Tape on Full reel
Pezzo(i) (contenuto: )
Pezzo(i) (contenuto: )
Totale (0,5447 € / Pezzo)
27,24 €
IVA escl.
Highlights & Dettagli
MOSFET di potenza SMD Vishay SI_Y-GE3, ECC.
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
- Tipo
SI4447ADY-T1-GE3
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SOIC-8
- Fabbricante
Vishay
- Caratteristiche
Canale P
- I(d)
-7.2 A
- UBR DSS
-40 V
- Potenza (max) P(TOT)
4.2 W
- R(DS)(on)
0.062 Ω
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Temperatura di esercizio (max.)
150 °C
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Altezza
0.00 mm
- Lunghezza
0 mm
- Larghezza
0.00 mm
- Peso
0
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canale P 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canale P 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel