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ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canale N 235 W TO-220-3
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220-3
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
235 W
R(DS)(on)
265 mΩ
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
1
-
5,32 €
5
6% = 0,32 €
5,00 €
10
8% = 0,45 €
4,87 €
25
10% = 0,54 €
4,78 €
50
12% = 0,64 €
4,68 €
100
14% = 0,75 €
4,57 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Totale (5,32 € / Pezzo)
5,32 €
IVA escl.
Solo 10 Pezzo(i) disponibili
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
FDP18N50
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-220-3
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Cod. Prod.
OnS
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
18 A
- UBR DSS
500 V
- Potenza (max) P(TOT)
235 W
- R(DS)(on)
265 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
9 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
60 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
2860 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Serie
UniFET™
- Temperatura di esercizio (max.)
+150 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
500 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Tipo
FDP18N50
- Case
TO-220-3
Documenti & Download
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 1263794 ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canale N 235 W TO-220-3