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ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canale N 700 mW SOT-23-6
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOT-23-6
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
700 mW
R(DS)(on)
95 mΩ
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Numero
Quantità minima ordinabile: 3
Totale (0,94 € / Pezzo)
0,94 €
IVA incl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
FDC6561AN
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SOT-23-6
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Cod. Prod.
OnS
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
2.5 A
- UBR DSS
30 V
- Potenza (max) P(TOT)
700 mW
- R(DS)(on)
95 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
2.5 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
3.2 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
5 V
- C(ISS)
220 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
15 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
PowerTrench®
- Temperatura di esercizio (max.)
+150 °C
- Caratteristiche Transistor
Logic Level Gate
- U(DSS)
30 V
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- Tipo
FDC6561AN
- Case
SOT-23-6
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Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 1263375 ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canale N 700 mW SOT-23-6
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