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ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canale N 700 mW SOT-23-6
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOT-23-6
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
700 mW
R(DS)(on)
95 mΩ
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
5
-
0,77 €
15
9% = 0,07 €
0,70 €
25
12% = 0,09 €
0,68 €
50
14% = 0,11 €
0,66 €
100
16% = 0,12 €
0,65 €
200
18% = 0,14 €
0,63 €
500
21% = 0,16 €
0,61 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 5
Totale (0,77 € / Pezzo)
3,85 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
FDC6561AN
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SOT-23-6
- Fabbricante
ON Semiconductor
- Cod. Prod.
OnS
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
2.5 A
- UBR DSS
30 V
- Potenza (max) P(TOT)
700 mW
- R(DS)(on)
95 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
2.5 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
3.2 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
5 V
- C(ISS)
220 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
15 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
PowerTrench®
- Temperatura di esercizio (max.)
+150 °C
- Caratteristiche Transistor
Logic Level Gate
- U(DSS)
30 V
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- Tipo
FDC6561AN
- Case
SOT-23-6
Documenti & Download
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 1263375 ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canale N 700 mW SOT-23-6