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Componenti Attivi Semiconduttori Transistor a effetto di campo MOSFET

ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canale N 830 mW TO-92-3

EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Un transistor a tre piedini in involucro nero. I tre terminali metallici sono disposti in linea.
Immagine simile
Un transistor a tre piedini in involucro nero. I tre terminali metallici sono disposti in linea.
Immagine simile
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-92-3
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
830 mW
R(DS)(on)
5 Ω
ON Semiconductor
Consegna entro Mer. 23 Set.

2222 Pezzo(i) (Solo fino ad esaurimento scorte)
Vendita e spedizione:
Conrad Electronic Termini e condizioni

Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
1
-
0,48 €
45
8% = 0,04 €
0,44 €
75
10% = 0,05 €
0,43 €
150
13% = 0,06 €
0,42 €
300
15% = 0,07 €
0,41 €
600
19% = 0,09 €
0,39 €
1500
21% = 0,10 €
0,38 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €

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Highlights & Dettagli

MOSFET

Servizi e promozioni supplementari

Dati tecnici

Tipo

BS170-D27Z

Tipo prodotto

MOSFET

Case

TO-92-3

Fabbricante

ON Semiconductor

Cod. Prod.

OnS

Caratteristiche

Canale N

I(d)

500 mA

UBR DSS

60 V

Potenza (max) P(TOT)

830 mW

R(DS)(on)

5 Ω

R(DS)(on) Corrente di riferimento

200 mA

R(DS)(on) Tensione di riferimento

10 V

U(GS)(th) max.

3 V

U(GS)(th) Corrente di riferimento max.

1 mA

C(ISS)

40 pF

C(ISS) Tensione riferimento

10 V

Temperatura d'esercizio (min.)

-55 °C

Metodo di montaggio

Foro passante

Temperatura di esercizio (max.)

+150 °C

Caratteristiche Transistor

Standard

U(DSS)

60 V

Canali

1

Contenuto

1 pz.

Tipo

BS170_D27Z

Case

TO-92-3

Varianti(Tutti i prezzi sono IVA e spese di spedizione escluse)

Case
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Corrente di riferimento
R(DS)(on)
U(DSS)
Potenza (max) P(TOT)
Caratteristiche
C(ISS)
Metodo di montaggio
 
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canale N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canale N 830 mW TO-92-3

1263060

 
Questo articolo
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canale N
40 pF
Foro passante
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canale N 400 mW TO-92-3
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canale N 400 mW TO-92-3

1262890

 
TO-92-3
3 V
500 mA
5 Ω
60 V
400 mW
Canale N
50 pF
Foro passante
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canale N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canale N 350 mW SOT-23-3

1262893

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
2 Ω
60 V
350 mW
Canale N
50 pF
montaggio superficiale
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canale N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canale N 350 mW SOT-23-3

1262896

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
5 Ω
60 V
350 mW
Canale N
50 pF
montaggio superficiale
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canale N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canale N 830 mW TO-92-3

1263061

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canale N
40 pF
Foro passante
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canale N 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canale N 360 mW SOT-23-3

1263073

 
SOT-23-3
2 V
170 mA
6 Ω
100 V
360 mW
Canale N
73 pF
montaggio superficiale
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3

1263075

 
SOT-23-3
220 mA
3.5 Ω
50 V
360 mW
27 pF
montaggio superficiale
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canale N 75 W TO-220-3
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canale N 75 W TO-220-3

1263085

 
TO-220-3
4 V
15 A
40 mΩ
50 V
75 W
Canale N
2000 pF
Foro passante
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canale N 595 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canale N 595 W TO-247-3

1263216

 
TO-247-3
5 V
38 A
41 mΩ
600 V
595 W
Canale N
14365 pF
Foro passante
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canale N 481 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canale N 481 W TO-247-3

1263217

 
TO-247-3
5 V
26 A
72 mΩ
600 V
481 W
Canale N
8660 pF
Foro passante

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Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 1263060 ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canale N 830 mW TO-92-3

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