Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale N
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
50
-
0,50320 €
150
8% = 0,04 €
0,46269 €
250
11% = 0,06 €
0,44648 €
500
13% = 0,07 €
0,43572 €
1000
16% = 0,08 €
0,42354 €
2000
19% = 0,09 €
0,41006 €
5000
21% = 0,11 €
0,39521 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 50
Multipli: 50
Totale (0,5032 € / Pezzo)
25,16 €
IVA escl.
Highlights & Dettagli
I MOSFET di potenza SMD INFI sono fissati a IRF_
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF7105PBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SO-8
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale N
Canale P
- I(d)
3.5 A
- UBR DSS
25 V
- Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8