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Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8

Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale N
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
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Highlights & Dettagli

I MOSFET di potenza SMD INFI sono fissati a IRF_

Servizi e promozioni supplementari

Dati tecnici

Tipo

IRF7105PBF-GURT

Tipo prodotto

MOSFET

Case

SO-8

Fabbricante

Infineon Technologies

Caratteristiche

Canale N

Canale P

I(d)

3.5 A

UBR DSS

25 V

Potenza (max) P(TOT)

2.0 W

R(DS)(on)

0.4 Ω

Metodo di montaggio

montaggio superficiale

Canali

2

Contenuto

1 pz.

UKCA

Sì

Documenti & Download

Scheda tecnica

Scheda tecnica 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8

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