Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canale P 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOIC-8
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Numero
Quantità minima ordinabile: 50
Multipli: 50
Tape on Full reel
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Pezzo(i) (contenuto: )
Totale (0,70892 € / Pezzo)
0,71 €
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Highlights & Dettagli
MOSFET di potenza SMD Vishay SI_Y-GE3, ECC.
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo di imballaggio
Tape on Full reel
- Tipo
SI9933CDY-T1-GE3
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SOIC-8
- Fabbricante
Vishay
- Caratteristiche
Canale P
- Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.094 Ω
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Temperatura di esercizio (max.)
175 °C
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- Altezza
0.00 mm
- Lunghezza
0 mm
- Larghezza
0.00 mm
- Peso
0
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canale P 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canale P 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
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