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Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canale P 200 W TO-220
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Numero
Totale (3,29 € / Pezzo)
3,29 €
IVA incl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
Power MOSFET, Canale P
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF5210PBF
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-220
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale P
- I(d)
40 A
- UBR DSS
100 V
- Potenza (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
24 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale P
- Tipo
IRF5210
- Descrizione
-100 V/-40 A
- Case
TO-220
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canale P 200 W TO-220
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canale P 200 W TO-220
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