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Componenti Attivi Semiconduttori Transistor a effetto di campo MOSFET

Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 Canale P 140 W TO-220

EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Due componenti elettroniche nere rettangolari con tre piedini di connessione ciascuna, poste una accanto all'altra sul lato destro, probabilmente transistor.
Immagine simile
Due componenti elettroniche nere rettangolari con tre piedini di connessione ciascuna, poste una accanto all'altra sul lato destro, probabilmente transistor.
Immagine simile
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
140 W
R(DS)(on)
117 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
English
Infineon Technologies
Consegna entro Ven. 18 Set.

67 Pezzo(i)
Vendita e spedizione:
Conrad Electronic Termini e condizioni

Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
2
-
2,04 €
6
7% = 0,15 €
1,89 €
10
10% = 0,21 €
1,83 €
20
12% = 0,25 €
1,79 €
40
15% = 0,30 €
1,74 €
80
17% = 0,35 €
1,69 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
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Numero

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Highlights & Dettagli

Power MOSFET, Canale P

Servizi e promozioni supplementari

Dati tecnici

Tipo

IRF9540NPBF

Tipo prodotto

MOSFET

Case

TO-220

Fabbricante

Infineon Technologies

Cod. Prod.

INF

Caratteristiche

Canale P

I(d)

23 A

UBR DSS

100 V

Potenza (max) P(TOT)

140 W

R(DS)(on)

117 mΩ

R(DS)(on) Corrente di riferimento

11 A

R(DS)(on) Tensione di riferimento

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Corrente di riferimento max.

250 µA

Q(G)

97 nC

Q(G) Tensione di riferimento

10 V

C(ISS)

1300 pF

C(ISS) Tensione riferimento

25 V

Temperatura d'esercizio (min.)

-55 °C

Metodo di montaggio

Foro passante

Serie

HEXFET®

Temperatura di esercizio (max.)

+150 °C

Caratteristiche Transistor

Standard

U(DSS)

100 V

Canali

1

Contenuto

1 pz.

Modello

Canale P

Tipo

IRF9540N

Descrizione

-100 V/-23 A

Case

TO-220

Varianti(Tutti i prezzi sono IVA e spese di spedizione escluse)

Case
R(DS)(on) Corrente di riferimento
R(DS)(on)
U(DSS)
Potenza (max) P(TOT)
C(ISS)
Metodo di montaggio
 
Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 Canale P 140 W TO-220
Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 Canale P 140 W TO-220

162537

 
Questo articolo
TO-220
11 A
117 mΩ
100 V
140 W
1300 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 Canale P 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 Canale P 200 W TO-220

162399

 
TO-220
38 A
20 mΩ
55 V
200 W
3400 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canale P 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canale P 200 W TO-220

162406

 
TO-220
24 A
60 mΩ
100 V
200 W
2700 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canale P 3.8 W TO-263-3
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canale P 3.8 W TO-263-3

162408

 
TO-263-3
16 A
60 mΩ
55 V
3.8 W
1200 pF
montaggio superficiale
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 Canale P 79 W TO-220
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 Canale P 79 W TO-220

162536

 
TO-220
8.4 A
200 mΩ
100 V
79 W
760 pF
Foro passante
Vishay IRF9620PBF MOSFET 1 Canale P 40 W TO-220
Vishay IRF9620PBF MOSFET 1 Canale P 40 W TO-220

162540

 
TO-220
1.5 A
1.5 Ω
200 V
40 W
350 pF
Foro passante
Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 Canale P 74 W TO-220
Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 Canale P 74 W TO-220

162541

 
TO-220
3.9 A
800 mΩ
200 V
74 W
700 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 Canale P 45 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 Canale P 45 W TO-220AB

162549

 
TO-220AB
7.2 A
175 mΩ
55 V
45 W
350 pF
Foro passante
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 Canale P 3.8 W TO-220
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 Canale P 3.8 W TO-220

162551

 
TO-220
10 A
100 mΩ
55 V
3.8 W
620 pF
montaggio superficiale

Documenti & Download

Scheda tecnica

English

Scheda tecnica 162537 Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 Canale P 140 W TO-220

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 162537 Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 Canale P 140 W TO-220

Cercato frequentemente MOSFET:

  • Mosfet canale N
  • Mosfet canale P
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