• Platform for Everything Technical
  • Consegne in 24 ore
  • Si applica il diritto di recesso
  • Resi semplici e garantiti
Home
Componenti attiviSemiconduttoriTransistor a effetto di campoMOSFET

Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 Canale P 2.0 W SO-8

Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 Canale P 2.0 W SO-8-0
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Consegna entro Lun 9 Nov
6 Pezzo(i)
Vendita e spedizione:
Conrad ElectronicTermini e condizioni
Numero
Totale (1,49 € / Pezzo)
1,49 €
Consegna intracomunitaria (esente da IVA) IVA incl. 
+ 9,95 € 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
senza costi di spedizione aggiuntivi 
Solo 6 Pezzo(i) disponibili
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Segnala un problema

Highlights & Dettagli

I MOSFET di potenza SMD INFI sono fissati a IRF_

Servizi e promozioni supplementari

Dati tecnici

Tipo

IRF7342PBF-GURT

Tipo prodotto

MOSFET

Case

SO-8

Fabbricante

Infineon Technologies

Caratteristiche

Canale P

Potenza (max) P(TOT)

2.0 W

R(DS)(on)

0.17 Ω

Metodo di montaggio

montaggio superficiale

Canali

2

Contenuto

1 pz.

UKCA

Sì

Documenti & Download

Scheda tecnica

Scheda tecnica 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 Canale P 2.0 W SO-8

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 Canale P 2.0 W SO-8

Cercato frequentemente MOSFET:

Accessori

(*Tutti i prezzi escludono l'IVA.)

Gli accessori sono necessari per utilizzare l'articolo come descritto.

altri prodotti interessanti

(*Tutti i prezzi escludono l'IVA.)