Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canale N 2.0 W SO-8
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.0155 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
3
-
0,91643 €
9
8% = 0,66 €
0,84266 €
15
11% = 1,55 €
0,81315 €
30
13% = 3,69 €
0,79353 €
60
16% = 8,70 €
0,77135 €
120
19% = 20,36 €
0,74680 €
300
21% = 59,00 €
0,71976 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 3
Multipli: 1
Totale (0,91643 € / Pezzo)
2,75 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF8313PBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SO-8
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
9.7 A
- UBR DSS
30 V
- Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.0155 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canale N 2.0 W SO-8
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canale N 2.0 W SO-8
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