Infineon Technologies IRL6372PBF-GURT MOSFET 2 Canale N 2.0 W SO-8
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.023 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
3
-
0,52920 €
9
8% = 0,38 €
0,48660 €
15
11% = 0,89 €
0,46956 €
30
13% = 2,13 €
0,45823 €
60
16% = 5,03 €
0,44543 €
120
19% = 11,75 €
0,43125 €
300
21% = 34,07 €
0,41563 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 3
Multipli: 1
Totale (0,5292 € / Pezzo)
1,59 €
IVA escl.
Solo 9 Pezzo(i) disponibili
Highlights & Dettagli
I MOSFET di potenza SMD INFI sono fissati a IRF_
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRL6372PBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SO-8
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale N
- Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.023 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026295 Infineon Technologies IRL6372PBF-GURT MOSFET 2 Canale N 2.0 W SO-8
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026295 Infineon Technologies IRL6372PBF-GURT MOSFET 2 Canale N 2.0 W SO-8
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Accessori
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