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Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canale N 1.66 W SOT-23-3
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOT-23-3
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Totale (0,69 € / Pezzo)
0,69 €
IVA incl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
SI2308BDS-T1-GE3
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SOT-23-3
- Fabbricante
Vishay
- Cod. Prod.
VIS
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
2.3 A
- UBR DSS
60 V
- Potenza (max) P(TOT)
1.66 W
- R(DS)(on)
156 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
1.9 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
6.8 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
190 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
30 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
TrenchFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+150 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
60 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Tipo
SI2308BDS-T1-GE3
- Case
SOT-23-3
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canale N 1.66 W SOT-23-3
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canale N 1.66 W SOT-23-3
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