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Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canale N 3.7 W SOIC-8

Immagine simile
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SOIC-8
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
3.7 W
R(DS)(on)
41 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Non disponibile

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Highlights & Dettagli

MOSFET

Servizi e promozioni supplementari

Dati tecnici

Tipo

SI4946BEY-T1-E3

Tipo prodotto

MOSFET

Case

SOIC-8

Fabbricante

Vishay

Cod. Prod.

VIS

Caratteristiche

Canale N

I(d)

6.5 A

UBR DSS

60 V

Potenza (max) P(TOT)

3.7 W

R(DS)(on)

41 mΩ

R(DS)(on) Corrente di riferimento

5.3 A

R(DS)(on) Tensione di riferimento

10 V

U(GS)(th) max.

3 V

U(GS)(th) Corrente di riferimento max.

250 µA

Q(G)

25 nC

Q(G) Tensione di riferimento

10 V

C(ISS)

840 pF

C(ISS) Tensione riferimento

30 V

Temperatura d'esercizio (min.)

-55 °C

Metodo di montaggio

montaggio superficiale

Serie

TrenchFET®

Temperatura di esercizio (max.)

+175 °C

Caratteristiche Transistor

Logic Level Gate

U(DSS)

60 V

Canali

2

Contenuto

1 pz.

Tipo

SI4946BEY-T1-E3

Case

SOIC-8

Documenti & Download

Scheda tecnica

Scheda tecnica 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canale N 3.7 W SOIC-8

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canale N 3.7 W SOIC-8

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Accessori

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