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Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canale N 500 mW TO-236-3
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-236-3
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
500 mW
R(DS)(on)
6 Ω
Scheda tecnica (PDF)
1677 Pezzo(i) (Solo fino ad esaurimento scorte)
Vendita e spedizione:
Conrad ElectronicTermini e condizioni
Numero
Totale (0,07 € / Pezzo)
0,07 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
Transistore per piccoli segnali
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
BSS123NH
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-236-3
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
190 mA
- UBR DSS
100 V
- Potenza (max) P(TOT)
500 mW
- R(DS)(on)
6 Ω
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
190 mA
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
1.8 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
13 µA
- Q(G)
0.9 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
20.9 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
OptiMOS™
- Temperatura di esercizio (max.)
+150 °C
- Caratteristiche Transistor
Logic Level Gate
- U(DSS)
100 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
BSS123NH
- Case
SOT-23
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 152902 Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canale N 500 mW TO-236-3
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 152902 Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canale N 500 mW TO-236-3
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