Infineon Technologies IRF1010NSPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 180 W D2PAK
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
D2PAK
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
180 W
R(DS)(on)
0.011 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
10
-
1,22 €
30
8% = 3,00 €
1,12 €
50
11% = 7,00 €
1,08 €
100
13% = 16,00 €
1,06 €
200
16% = 40,00 €
1,02 €
400
19% = 92,00 €
0,99 €
1000
21% = 260,00 €
0,96 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 10
Multipli: 10
Totale (1,22 € / Pezzo)
12,20 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
I MOSFET di potenza SMD INFI sono fissati a IRF_
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF1010NSPBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
D2PAK
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
85 A
- UBR DSS
55 V
- Potenza (max) P(TOT)
180 W
- R(DS)(on)
0.011 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026343 Infineon Technologies IRF1010NSPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 180 W D2PAK
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026343 Infineon Technologies IRF1010NSPBF-GURT MOSFET 1 Canale N 180 W D2PAK
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