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Componenti AttiviSemiconduttoriTransistor a effetto di campoMOSFET

Infineon Technologies IRF1324PBF MOSFET 1 Canale N 300 W TO-220AB

EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Un componente semiconduttore a tre piedini, solitamente un transistor o un regolatore di tensione, in un involucro TO-220 con superficie di raffreddamento superiore.
Un componente semiconduttore a tre piedini, solitamente un transistor o un regolatore di tensione, in un involucro TO-220 con superficie di raffreddamento superiore.
Immagine simile
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220AB
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
300 W
R(DS)(on)
1.5 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
Infineon Technologies
Consegna entro Lun 12 Ott

193 Pezzo(i)
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Highlights & Dettagli

Transistore unipolare (MOSFET)

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Dati tecnici

Tipo

IRF1324PBF

Tipo prodotto

MOSFET

Case

TO-220AB

Fabbricante

Infineon Technologies

Cod. Prod.

INF

Caratteristiche

Canale N

I(d)

195 A

UBR DSS

24 V

Potenza (max) P(TOT)

300 W

R(DS)(on)

1.5 mΩ

R(DS)(on) Corrente di riferimento

195 A

R(DS)(on) Tensione di riferimento

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Corrente di riferimento max.

250 µA

Q(G)

240 nC

Q(G) Tensione di riferimento

10 V

C(ISS)

7590 pF

C(ISS) Tensione riferimento

24 V

Temperatura d'esercizio (min.)

-55 °C

Metodo di montaggio

Foro passante

Serie

HEXFET®

Temperatura di esercizio (max.)

+175 °C

Caratteristiche Transistor

Standard

U(DSS)

24 V

Canali

1

Contenuto

1 pz.

Modello

Canale N

Tipo

IRF1324PBF

Case

TO-220AB

Documenti & Download

Scheda tecnica

Scheda tecnica 160861 Infineon Technologies IRF1324PBF MOSFET 1 Canale N 300 W TO-220AB

Istruzioni d'uso e di sicurezza

Istruzioni d'uso e di sicurezza 160861 Infineon Technologies IRF1324PBF MOSFET 1 Canale N 300 W TO-220AB

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