Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 Canale P 2.0 W SO-8
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
3
-
1,09129 €
9
8% = 0,79 €
1,00343 €
15
11% = 1,84 €
0,96830 €
30
13% = 4,39 €
0,94494 €
60
16% = 10,37 €
0,91853 €
120
19% = 24,24 €
0,88929 €
300
21% = 70,26 €
0,85710 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 3
Multipli: 1
Totale (1,09129 € / Pezzo)
3,27 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
I MOSFET di potenza SMD INFI sono fissati a IRF_
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF7306PBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SO-8
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale P
- Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 Canale P 2.0 W SO-8
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 Canale P 2.0 W SO-8
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