Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
SO-8
Caratteristiche
Canale N
Canale P
Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
3
-
0,52334 €
9
8% = 0,38 €
0,48120 €
15
11% = 0,88 €
0,46435 €
30
13% = 2,11 €
0,45316 €
60
16% = 4,97 €
0,44049 €
120
19% = 11,62 €
0,42647 €
300
21% = 33,70 €
0,41102 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 3
Multipli: 1
Totale (0,52334 € / Pezzo)
1,57 €
IVA escl.
Solo 7 Pezzo(i) disponibili
Highlights & Dettagli
MOSFET
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF7343PBF-GURT
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
SO-8
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Caratteristiche
Canale N
Canale P
- I(d)
4.7 A
- UBR DSS
55 V
- Potenza (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Canali
2
- Contenuto
1 pz.
- UKCA
Sì
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 Canale N, Canale P 2.0 W SO-8
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Accessori
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