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Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 Canale N 110 W TO-220AB
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-220AB
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
8.4 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
2
-
1,47 €
6
8% = 0,72 €
1,35 €
10
12% = 1,70 €
1,30 €
20
14% = 4,00 €
1,27 €
40
16% = 9,20 €
1,24 €
80
18% = 21,60 €
1,20 €
200
21% = 62,00 €
1,16 €
I prezzi a scala possono variare a seconda del venditore
Risparmio 0,00 €
Numero
Quantità minima ordinabile: 2
Totale (1,47 € / Pezzo)
2,94 €
IVA escl.
Diritto di reso di 14 giorni incluso
Highlights & Dettagli
Transistore unipolare (MOSFET)
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF1018EPBF
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-220AB
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
79 A
- UBR DSS
60 V
- Potenza (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
8.4 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
47 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
100 µA
- Q(G)
69 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
2290 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
50 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
Foro passante
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
60 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRF1018EPBF
- Case
TO-220AB
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 160859 Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 Canale N 110 W TO-220AB
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 160859 Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 Canale N 110 W TO-220AB
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