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Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 Canale N 160 W TO-263-3
Tipo prodotto
MOSFET
Case
TO-263-3
Caratteristiche
Canale N
Potenza (max) P(TOT)
160 W
R(DS)(on)
18 mΩ
Scheda tecnica (PDF)
EAN:
Codice produttore
Articolo n°:
Quantità (Pezzo(i))
Risparmio
Prezzo dell'imballaggio (IVA escl.)
1
-
1,63 €
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Numero
Totale (1,63 € / Pezzo)
1,63 €
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Highlights & Dettagli
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Servizi e promozioni supplementari
Dati tecnici
- Tipo
IRF3710Z
- Tipo prodotto
MOSFET
- Case
TO-263-3
- Fabbricante
Infineon Technologies
- Cod. Prod.
INF
- Caratteristiche
Canale N
- I(d)
59 A
- UBR DSS
100 V
- Potenza (max) P(TOT)
160 W
- R(DS)(on)
18 mΩ
- R(DS)(on) Corrente di riferimento
35 A
- R(DS)(on) Tensione di riferimento
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Corrente di riferimento max.
250 µA
- Q(G)
120 nC
- Q(G) Tensione di riferimento
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- C(ISS) Tensione riferimento
25 V
- Temperatura d'esercizio (min.)
-55 °C
- Metodo di montaggio
montaggio superficiale
- Serie
HEXFET®
- Temperatura di esercizio (max.)
+175 °C
- Caratteristiche Transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canali
1
- Contenuto
1 pz.
- Modello
Canale N
- Tipo
IRF3710Z
- Descrizione
100 V/59 A
- Case
TO-220AB
Documenti & Download
Scheda tecnica
Scheda tecnica 164339 Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 Canale N 160 W TO-263-3
Istruzioni d'uso e di sicurezza
Istruzioni d'uso e di sicurezza 164339 Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 Canale N 160 W TO-263-3
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